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高通旗舰芯片骁龙835曝光 或为移动VR顶梁柱

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科技传媒网 科技媒体 2016-11-29 14:08

科技传媒网讯 据国外科技媒体报道,在移动虚拟现实领域,高通有着不可或缺的核心位置,每一次的芯片更新迭代都为虚拟现实带来新的惊喜。目前来说,移动虚拟现实的高计算、高显示、低功耗需求仍然无法很好得到满足。

   科技传媒网讯 据国外科技媒体报道,在移动虚拟现实领域,高通有着不可或缺的核心位置,每一次的芯片更新迭代都为虚拟现实带来新的惊喜。目前来说,移动虚拟现实的高计算、高显示、低功耗需求仍然无法很好得到满足。高通豪言下一代芯片要将桌面端VR场景搬到移动端,所以2017年的旗舰芯片骁龙835备受期待。

高通骁龙835规格曝光或是移动VR顶梁柱

  高通日前宣布其最新旗舰芯片将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造。并且支持最新的QuickCharge 4.0快充技术,同时兼容USB PD标准。搭载这一处理器的终端产品将于明年上半年出货。

  据了解,骁龙835是高通明年春季的最高端手机芯片,也是骁龙820和821的继承者。业内人士草包科技昨天爆出了骁龙835的具体规格,该芯片将直接使用台积电10nm FF工艺的八核心设计,大小核均为Kryo架构,大核心频率为3GHz,小核心频率为2.4GHz,LPDDR4x四通道内存,GPU为Adreno 540,支持4K屏幕分辨率,整合Cat.16基带等。

  众所周知,虚拟现实对于高分辨率的追求要比手机高出很多。我们从爆料中看到骁龙835使用的是Adreno 540,比骁龙820/821搭载的Adreno 530要高一个等级。原本Adreno 530性能就比较出众,可以实现4K下的高帧率插入,保证画面流畅,况且骁龙820/821还只是14nm工艺。那么首次采用10nm工艺的Adreno 540是否就像高通所说的那样:“下一代骁龙处理器将把大量桌面端场景搬到移动端”。

  而对于手机玩VR发热问题,高通表示这种情况还将持续,但透漏下一代骁龙芯片将进行技术改进,不过降低功耗挑战大,下降幅度不容乐观。

  值得注意的是,早在今年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。

原文链接:http://www.itmsc.cn/archives/view-137245-1.html
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(责任编辑:小曹)

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